聯穎光電股價行情討論-晶圓代工大廠積極投入GaN制程開發

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強勁電動車需求為功率電子及化合物半導體開創產業新動能

電動車朝低耗能、高效率及小型化趨勢發展,不僅使碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為當紅炸子雞,矽光子(Silicon Photonics)技術更備受矚目。

迎接5G及自駕車時代,為協助洞悉功率元件及三五族半導體材料的市場先機,SEMI於12月4日召開功率暨化合物半導體委員會議,聚集來自台達電子、穩懋半導體、漢磊科技、聯穎光電、中科院及功率元件設計、封裝委員代表參與,此次會議特別邀請來自台達電能源基礎建設解決方案技術經理Peter Barbosa、Yole Développement執行長暨總經理Jean-Christophe Eloy、科技部矽光子計畫主持人,同時也是台灣科技大學特聘教授李三良博士進行主題演講。

回顧今年,在委員會的帶領下分別舉行三場會議持續針對功率元件測試、封裝以及光電半導體技術與應用做討論,並於SEMICON China期間舉辦功率化合物半導體兩岸交流活動、SEMICON Taiwan國際半導體展技術論壇及午宴聯誼活動,聚集超過230位、來自13國家的功率暨化合物半導體領域的專家;並成功邀請到北京中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟來台參展,與台灣業者進行交流。 

隨特斯拉(Tesla)與知名車商Jaguar、奧迪、保時捷等陸續推出電動車款,電動車市場規模日益壯大。電池是電動車主要的成本之一,近年電池能量密度提高,電池價格已經快速下降,有助於提振電動車需求。台達電技術經理Peter Barbosa看好電池市場潛力,估計2015年到2020年電動車複合成長率(CAGR)達36%;2020年到2025年複合成長率將飆升至45%,主要成長力道來自於歐盟、中國和美國市場。

材料方面,第三代半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)具備耐高溫、耐高壓、電阻小、電流大與低功耗等特性,將逐步取代矽。從技術上來說,SiC適用於高功率DC/AC變頻器,而GaN則更適合用於低功率DC/DC和AC/DC轉換器。Yole執行長暨總經理Jean-Christophe Eloy指出,SiC功率裝置市場規模2017到2023年複合成長率將達31%,產值在2023年將可望衝破15億美元。

另一項值得關注的是矽光子(Silicon Photonics)。矽光子藉由將「電訊號」改為「光訊號」來傳遞的晶片,以提高傳輸距離、增加資料頻寬與降低單位能耗。由於矽光子技術涵蓋領域廣泛分散,現階段在整個產業還沒有形成穩定的競爭格局,應用產品並不多。儘管如此,台灣矽光子產業鏈發展晶圓代工模式已見端倪,像是台積電及聯電皆已投入研發。

科技部矽光子計畫主持人李三良教授指出,台灣半導體產業龐大、專業分工,半導體製造生態系統完整,非常適合發展矽光子技術。他建議產學研攜手建立國家級團隊,增加國際競爭力。除了倚賴台灣產業界強大的光電技術與IC製程能力外,配合官方與學研資源打造矽光子共同平台,應可複製先前IC產業成功的經驗。有鑒於此,SEMI也將邀請光電半導體相關業者以打造光電半導體產業生態系統平台,協助連結產業與政府資源創造更多技術合作機會。

展望2019,SEMI將持續經營功率電子及化合物半導體領域。2019年9月18 – 20日 SEMICON Taiwan 國際半導體展期間,將規劃「功率電子暨光電半導體技術論壇」,並首次登場「化合物半導體創新應用館」製造展示區,展示 BMW i3 實體電動車,完整呈現其中相關重要的電子元件與光電技術,並邀請到設計、製造、封裝及系統業者進行技術展示,完整展現台灣在化合物半導體產業的技術能量,並創造更多商業合作的機會,結合技術論壇及商業媒合聯誼活動,加速技術突破與跨界合作。

晶圓代工大廠積極投入GaN制程開發

近來,晶圓代工廠積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN),除龍頭廠台積電已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外,世界先進 GaN 制程也預計年底送樣,聯電同樣積極投入 GaN 制程開發,攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示,GaN 制程開發是現有研發計畫中的重點項目之一,目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作,仍處於研發階段,初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標,未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司,為其新投資事業群的一員,提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務,終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達,及 3D 感測組件等。目前營運持續虧損,去年虧損 2.79 億元,今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科,6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工制程均已量產;台積電今年 2 月也宣佈結盟意法半導體,意法將採用台積電的 GaN 制程技術,生產氮化鎵產品,加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市,攜手搶攻電動車市場商機。

世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多,與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作,著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST,今年底前將送樣客戶做產品驗證,初期主要瞄準電源相關應用。

 

 

聯電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場

晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN),除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外,世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣,聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發,攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示,GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一,目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作,仍處於研發階段,初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標,未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司,為其新投資事業群的一員,提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務,終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達,及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損,去年虧損 2.79 億元,今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科,6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產;台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體,意法將採用台積電的 GaN 製程技術,生產氮化鎵產品,加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市,攜手搶攻電動車市場商機。

 

光電業進軍舊金山 成果豐碩

經濟部國際貿易局為協助光電業者搶攻美國市場商機,委託外貿協會組團前往舊金山,參加於莫斯康展覽中心隆重登場的「美國西部光電展(SPIE PHOTONICS WEST)」,成果亮麗。

外貿協會表示,該展為全球光電領域重要會議暨展覽盛會,由全球光電及雷射應用領域權威機構-國際光學工程學會(SPIE)主辦,今年吸引1,350家參展商,湧入超過23,000位專業人士到場參觀。

台灣參展廠商包括和蓮光電、亞洲光學、揚明光學、聯穎光電、宏明科技、騰錂鐳射及成大微奈米科技研究中心等,展出各類光學材料及光學組件、光學鏡頭、可變波長光源系統、光通訊波分覆用器、透鏡陣列、KW級光纖雷射零組件、智慧晶片及微奈米檢測等產品及技術。

揚明光學首度參與展會,以光學模組及光學零組件之設計、製造、量產的一條龍專業技術為主,此次展出光學零組件與微投影模組,積極搶攻展智慧家居及車用市場,開展後即吸引不少買主駐足詢問,產品相當受買主歡迎。

和蓮光電展示以矽基型液晶空間光調變器LCoS-SLM、微型LED啟動套件、數位調製以及先進的矽背板技術,多次參展已累積眾多的客戶群,展覽期間吸引大量買主不斷前來參觀及詢問,展覽成效相當良好。

亞洲光學為全球第一大光學元件廠,深耕光學領域多年,並有完整的產品及技術垂直整合能力,隨著車載及光通訊市場需求快速成長,現場也吸引許多目標客戶來訪,未來商機備受看好。

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「可當總經理、領雙倍薪」聯詠科傳內鬼洩密陸公司

聯詠科技股份有限公司曾姓等4名前員工,涉嫌洩漏公司重大營業秘密給中國大陸地區某競爭公司,檢察官偵查後認為犯罪嫌疑重大,將全案以違反營業秘密法提起公訴。

新竹地檢署發布新聞稿表示,檢察官蘇恒毅指揮法務部調查局嘉義市調查站,查獲聯詠公司前員工曾姓男子等4人,於民國105年間,與大陸地區上海某電子公司負責人協議,以總經理職務與雙倍薪資挖角,要求在離職前竊取聯詠公司機密檔案資料。

檢警調查,曾男在離職前,擅自以多次、少量方式,下載重製聯詠公司內部OLED面板驅動IC及VR等研發工程類機密檔案資料,並挖角羅、何、董姓同事,一起跳槽到曾男以配偶名義在台元科學園區內設立的科技公司,協助重製聯詠公司機密資料,洩漏給大陸公司。

另外,檢警發現,曾男4名跳槽工程師的薪資,是假藉「專業技術事務收入」等名目,安排員工開立外幣帳戶收受境外公司資金。

檢察官蘇恒毅偵查後,認為曾男等4人犯罪嫌疑重大,向新竹地方法院就犯罪所得追徵,聲請扣押現金、房產等財產獲准,並將4人及曾男配偶名下的科技公司,以違反營業秘密法提起公訴。

台積電遭離職工程師於任職期間內,非法重製營業秘密案件,經新竹地檢署偵查終結提起公訴。起訴書指出,台積電公司吳姓工程師於任職期間即106年9月間,非法重製28奈米之重要製程相關文件,擬於106年12月份離職後,攜出至中國無錫華潤上華科技有限公司任職,意圖在中國使用非法重製營業秘密。

全案經檢方偵查終結,檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法意圖在大陸使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌,以及刑法背信罪嫌,將全案提起公訴。

起訴書指出,台積電吳姓工程師於106年9月任職期間,非法重製有關臺積電公司28奈米重要製程相關文件,擬於106年12月份自台積電離職後,攜出至大陸無錫華潤上華科技有限公司任職,意圖在大陸地區使用上開非法重製之營業秘密。

全案業經偵查終結,檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法第13條之2第1項、第13條之1第1項第2款之意圖在大陸地區使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌及刑法第342條第1項之背信罪嫌,對被告提起公訴。

華潤集團在1997年成立華潤上華半導體,正式進軍半導體領域。隨後以購併方式擴大業務,目前擁有6吋及8吋晶圓代工廠,製程可達到0.11微米,服務消費電子的IC客戶。除代工外,華潤微電子也擁有自己的IC設計公司、封裝測試及分離式元件等半導體服務。

週刊報導,美國聯邦當局日前逮捕一名台裔電機工程師石姓男子,涉嫌竊取台灣砷化鎵半導體晶片機密技術,再輸往大陸成都的嘉石科技公司,這起案件與前年穩懋半導體晶片機密科技被竊有關,而石男犯案的地點就在林口星巴克,一杯咖啡的時間就竊走台灣重要的半導體機密技術。

根據《財訊》週刊報導,台裔電機工程師石男,是大陸成都嘉石科技的總裁,而嘉石科技在美國矽谷和台灣桃園都布下了綿密的產業間諜網。石男挖角聯穎光電的研發經理台灣人楊光宇、龍嘉弘後,透過楊光宇接觸到穩懋的內部工程師白勝傑,並在2015年8月7日晚上,與穩懋工程師白勝傑見面。楊光宇佯稱,有金主要在台灣投資一座半導體新廠,想挖角他,並拿出一份建廠合約要白勝傑簽下,楊光宇拿出台幣7萬元給白勝傑當作8月分的薪資。楊光宇再傳送一份技術文件給白,全是嘉石科技在生產半導體時無法解決的關鍵,要他一一填上。

9月2日,楊光宇再約白勝傑在星巴克見面,把當月的7萬元薪資交給白勝傑,再要求他把4種更困難、更機密的薄膜製程參數偷給他。9月26日,楊光宇帶白勝傑到成都面試,當面展示所有的技術細節,陸方原本要發40萬元人民幣簽約金給白勝傑,但就在發放前,檢調發動搜索,白勝傑登機前被捕。

根據《財訊》報導,這件間諜案導致台灣砷化鎵產業投資價值達75億元以上的研發成果,被嘉石科技輕易取得,還可能讓中國取得生產先進軍用雷達關鍵元件的技術能力。陸廠甚至開出開出簽約金台幣200萬元、月薪25萬元及30到35萬元顧問費的優渥條件,欲挖角白勝傑,白勝傑展示的技術,恐已造成台灣半導體產業損失。

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聯穎光電內鬼 盜賣機密給對岸
新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電澹姓研發工程師涉嫌出賣內部機密文件給大陸某高科技公司,根據了解,他所賣出的砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品資料,可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備中,27日前往公司搜索並約談到案,依《營業秘密法》移送法辦。

近年大陸將砷化鎵及氮化鎵晶片研發列為經濟重點發展項目,計畫在北京、成都及福州等地建廠量產,不惜重金投資設備並挖角人才,部分當地不肖廠商甚至長時間在台部署商業間諜,有計畫地從外部收買或安排人員在標的企業任職以竊取營業秘密。

檢調去年11月追查穩懋案商業間諜案,後續查出聯穎光電澹姓研發工程師也與楊光宇合作,出賣聯穎光電內部機密文件,意圖竊取同類型營業秘密。

根據了解,聯穎光電生產砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品,可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備,為民間及軍方設備所不可或缺的零組件,相關技術受到管制不得輸出至大陸地區。

澹姓工程師擅自重製並提供內部技術資料及相關產品進度等資訊,給楊光宇在大陸工作時參考,獲取所需機密資料後,即給予數萬元不等報酬,桃市調處與新竹市調查站聯手偵辦,搜索澹姓工程師住家及公司電腦及其辦公桌資料。

聯穎併坤鉅 聯電 布局砷化鎵代工
看好功率放大器(PowerAmplifier,PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求,聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場,除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電,昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。

  今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年,由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻,而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠,4G手機均要能支援全球20頻段,因此需要採用更多的PA晶片。

  此外,物聯網應用今年開始出現爆炸性成長,為了讓物物相聯,不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術,均需要搭載PA晶片。也因此,去年下半年PA晶片嚴重供不應求,包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿,並持續擴大委外代工,所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀,而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。

  聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案,最高認購金額不超過5.4億元,同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電,出售價格合計4.4億元,聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。

  聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技,換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股,合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源,提升競爭力,並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本,提升營運績效,創造更大獲利空間,也可爭取國際大廠代工訂單。

聯電擬加碼投資聯穎光電
晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電,增加投資金額以新台幣3億元為限。

聯穎光電成立於民國99年10月,主要投入砷化鎵晶圓代工業務,目前資本額11.81億元;聯電為最大股東,持股比重達74.69%。

聯穎光電營運虧損,據聯電財報資料顯示,聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元,每股虧損1.97元。

為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金,聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資,增資額度以3億元為限。

公司簡介
聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月,為聯電集團新投資事業群的一員,目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區,為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。

聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備,利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值,生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路,同時跨足再生能源領域,提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。

聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則,擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神,為客戶創造最大的價值。

藉由提供III-V族業界最廣泛產品組合的代工服務,以及最佳化的砷化鎵晶圓代工商業模式,聯穎期許於不久的將來能夠在全球砷化鎵市場躋身領先地位。

 
公司基本資料
 統一編號53170263
 公司狀況核准設立 
 公司名稱聯穎光電股份有限公司  
 資本總額(元)1,600,000,000
 實收資本額(元)989,612,810
 代表人姓名陳文洋
 公司所在地新竹科學工業園區新竹縣寶山鄉創新一路10號3樓    
 登記機關科技部新竹科學工業園區管理局
 核准設立日期099年10月18日
 最後核准變更日期103年05月19日
 所營事業資料
 
CC01080  電子零組件製造業
F401010  國際貿易業
  研究、設計、開發、製造及銷售下列產品:
  砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與
  擬晶性高電子遷移率電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT
  RF Power Amplifier & pHEMT RF Switch
  Device)
 

 

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