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聯電擬加碼投資聯穎光電
內容目錄
晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電，增加投資金額以新台幣3億元為限。
聯穎光電成立於民國99年10月，主要投入砷化鎵晶圓代工業務，目前資本額11.81億元；聯電為最大股東，持股比重達74.69%。
聯穎光電營運虧損，據聯電財報資料顯示，聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元，每股虧損1.97元。
為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金，聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資，增資額度以3億元為限。
〈2022半導體展〉聯電第三代半導體產能滿載 看好明年需求再向上
鉅亨網記者林薏茹 台北2022/09/15 17:46
聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程，聯電技術開發五處資深處長、同時也是聯穎研發副總邱顯欽今 (15) 日表示，聯穎產能滿載，並將在 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造，看好明年需求將優於今年。
聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務。邱顯欽指出，在 6 吋市場累積豐富經驗後，現階段將朝 8 吋全面佈局，且有別於台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在氮化鎵 (GaN) 上主攻功率半導體，聯穎則是功率、微波並進，相較其他同業能有更多發展空間。
邱顯欽指出，目前聯穎產能滿載，但其中有少部分利基型矽基半導體產能，將逐步拉高化合物半導體比重，縮減矽基半導體產能，目標 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造。
展望明年，邱顯欽表示，雖然產能中仍有部分矽基半導體，將受消費性電子市況放緩影響，但從客戶訂單來看，明年化合物半導體需求會比今年好，整體而言，明年還是稍微可以期待。
至於碳化矽 (SiC) 方面，邱顯欽說，聯穎目前以微波居多，功率應用也正密切關注。
聯電第三代半導體遇逆風 旗下聯穎Q3獲利大減逾8成
鉅亨網記者林薏茹 台北2022/11/05 12:22
晶圓代工廠聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，上半年賺贏去年全年，不過由於產能仍有部分矽基半導體，難逃下半年消費性電子需求放緩衝擊，第三季獲利縮水至 6551 萬元，較上季大減超過 8 成。
聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連 3 季獲利衝破 3 億元，且逐季成長。
不過，由於聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，受景氣循環波動影響較大，隨著第三季起消費性電子市況走弱，產能利用率也因此下滑，導致獲利大幅縮水。
聯穎產品囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造。在 6 吋市場站穩腳步後，聯穎現階段正朝 8 吋積極佈局，且有別於台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在氮化鎵 (GaN) 上主攻功率半導體，聯穎則是功率、微波並進，能有更大發展空間。聯穎目前仍有少部分利基型矽基半導體產能，規劃逐步拉高化合物半導體比重，縮減矽基半導體產能，目標 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造。
聯電第三代半導體布局有成 旗下聯穎上半年已賺贏去年全年
鉅亨網記者林薏茹 台北2022/08/16 13:10
聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，近年來積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年第二季已連續 5 季獲利且逐季成長，上半年已賺贏去年全年。
聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年全年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連續 3 季衝破 3 億元大關，且逐季成長。
聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，技術囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造，終端產品應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。
考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎正進行技術平台建置，完成後會將平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。也傳聯電為擴大第三代半導體布局，將搶進難度更高的 8 吋晶圓第三代半導體製造領域，下半年相關機台將陸續進駐廠區，並將投入碳化矽製程開發。聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。
聯電子公司產能爆滿 這檔同名股票鎖漲停
工商時報 數位編輯 2021.11.15
又有散戶買錯股票了？聯電子公司聯穎光電積極投入第三類半導體製程，市場傳出今年以來產能滿載，帶動營運轉盈，不過，同名的台股連接線廠聯穎（3550）今（15日）開盤即跳空開高，一路漲停鎖死，網友在PTT股板討論，應該是「買錯多」，但也有網友質疑「剛好這麼多人買錯的機率有多高？」。
聯穎光電成立於2010年，座落於新竹科學園區，為竹科第一座6英吋砷化鎵純晶圓代工廠，有媒體報導，聯電旗下聯穎光電第3季獲利較第2季大增5倍，市場傳聯穎擬現增擴產，明年產能將可望翻倍，後市可期，不過，因聯穎光電尚未掛牌，可能有散戶將電子零組件廠聯穎科技誤認為聯穎光電，發生像之前有投資人誤將聯亞科技誤以為聯亞生技的情況。
聯穎今股價跳空亮燈漲停，即有網友在PTT留言表示，「聯穎竟然真的漲停 XD」、「買錯多，應該明天就…」、「原來是同名，難怪獲利對不起來」、「看到聯穎漲停只覺得很好笑 我記得看資料明明還沒上市」、「同名系列真的永遠玩不完XD」。
也有網友不以為然，質疑「剛好這麼多人買錯的機率有多高？還是有什麼消息？」。
聯穎今日開盤即亮燈漲停來到18.95元，成交量有2,255張，較5日均量996張、10日均量721張多出不少。
（中時新聞網 曹逸雯）
晶焱 全球市占坐三望二
工商時報 蘇嘉維 2022.01.12
靜電防護晶片（ESD）廠晶焱（6411）在2021年第四季及全年營收順利創下新高後，2022年隨著新產能挹注，業績有望持續衝高。法人圈傳出，晶焱2022年將首度在力積電8吋晶圓投片，且獲得聯電旗下6吋廠聯穎光電產能支援，將全力搶攻USB 4、車用市場，2022年全球市占率將可望坐三望二。
晶焱2021年12月合併營收達3.83億元、月成長3.6％，創下單月歷史次高，推動第四季合併營收季成長12.5％至11.85億元，寫下單季新高表現，累計2021年全年合併營收達41.42億元、年成長29.9％同締新猷。
法人指出，晶焱2021年下半年成功獲得晶圓代工產能支援，加上客戶同樣轉嫁增加成本，因此使晶焱下半年合併營收開始明顯成長，且第四季在客戶拉貨動能續旺情況下，使合併營收達到淡季不淡水準。
進入2022年後，法人圈傳出，晶焱將可望首度獲得力積電8吋晶圓投片，雖然初期投片量有限，大約僅200～300片等小量規模，不過後續有機會持續獲得力積電8吋晶圓產能擴大支援，目標是每月2,000片規模。
不僅如此，聯電旗下的6吋晶圓廠聯穎光電也對晶焱產能提供奧援，法人指出，目前聯穎光電每月提供給晶焱大約兩萬片的6吋晶圓規模，加上力積電提供的8吋產能晶圓，晶焱將可望擴大供貨給車用及USB 4等相關客戶，使ESD晶片出貨動能在2022年將可望明顯攀升，市占率有機會坐二望三。
據了解，晶焱在2021年受惠遠端商機，使ESD晶片獲得客戶在USB控制IC、HDMI及行動周邊零組件等終端應用擴大導入訂單，且進入2022年還可望受惠於USB 4、PCIe Gen4／5等高速傳輸介面滲透率提升，加大晶焱ESD晶片出貨動能。
整體來看，法人看好，晶焱在2022年營運將有機會在市場需求續旺，加上晶圓代工產能奧援情況下，推動單季業績呈現逐季成長規模，全年業績將有機會繳出優於2021年的成績單，代表將再度改寫新高表現。
聯電第三代半導體佈局報佳音 旗下聯穎Q3獲利大增5倍、傳產能爆滿擬擴產
鉅亨網記者林薏茹 台北2021/11/14 14:02
聯電 (2303-TW) 近年來攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年以來傳產能均維持滿載，第三季獲利更較第二季大增 5 倍，帶動營運轉盈；市場也傳聯穎擬現增擴產，明年產能可望翻倍跳增。
聯穎光電今年上半年累計虧損約 6270 萬元，其中第二季獲利約 4000 萬元，翻開聯電財報，前三季累計純益已達 1.88 億元，相當於第三季單季就大賺超過 2.5 億元，純益季增 5.23 倍，獲利能力大幅提升。
聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。
聯穎光電 6 吋廠原先呈現虧損，產能利用率也不佳，但業界傳出，去年下半年以來，晶圓代工市況轉佳，在客戶需求大增下，月產能 4 萬多片持續爆滿，帶動營運轉盈；不過，今年第一季因打消一批貨品認列虧損，導致營運再度轉虧。
市場也傳出，由於產能持續爆滿，加上看好後市 5G、電動車等應用對半導體元件的需求，聯穎光電擬辦理現增籌資，擴增產能，明年產能可望較今年翻倍成長。
聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電日前也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。
〈半導體展開展〉聯電加速化合物半導體布局 與IMEC合作明年推技術平台
鉅亨網記者林薏茹 台北2021/12/28 16:57
晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 積極加速化合物半導體布局，看好需求前景，與持股約 8 成子公司聯穎光電共同成立技術平台，並與比利時微電子研究中心 (IMEC) 進行技術研發合作，初期以 6 吋 GaN(氮化鎵) 製程切入，明年就會有客戶開始設計導入。
聯電協理鄭子銘今日出席 SEMICON Taiwan 2021 化合物半導體特展的「SEMI Talks 領袖對談」，會後受訪時表示，目前 GaN 整體解決方案提供者較少，正在進行技術平台建置，完成後會把平台開放給設計公司進來使用。
鄭子銘指出，該平台主要應用包括電力電子、射頻、微波等，明年將提供驅動 IC 客戶設計導入，初期以 GaN 切入，到一定成熟度後，再開始著墨 SiC，未來也有機會由 6 吋往 8 吋走。
聯電財務長劉啟東也說明，該平台透過聯電的研發攜手聯穎合作，主導者是聯穎，研發則是雙方共同合作。
《科技》台灣半導體展 創新材料震撼眼球
2021年12月29日 週三 上午8:29·2 分鐘 (閱讀時間)
【時報-台北電】由國際半導體產業協會（SEMI）主辦的台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）28日登場，共涵蓋逾2,150個展位，其中化合物半導體特展更為全台規模最大，攤位數量相較去年成長11％。
SEMI表示，透過完整展示氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）創新材料應用，化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。
半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」，邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者，針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。
SEMI表示，在新興應用科技快速普及的驅動下，功率暨化合物半導體需求蓬勃發展，各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起，SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求，透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會，進一步強化整體產業鏈生態系統，促進合作並且引進優秀技術人才，全方位推動台灣產業布局。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下，近幾年呈現快速擴張，相關投資將在2021年增長約20％至70億美元並創歷史新高，2022年也預計將再增長至約85億美元。
在此態勢之下，SEMI也將持續串聯產、官、學、研界，透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合，期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後，化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。
聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示，過去幾十年來，矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高，SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角，在此主流發展趨勢下，相關商機備受期待。
聯電協理鄭子銘表示，台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係，故相當具有優勢。在技術方面，聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件，全方位鎖定最新市場商機。
漢磊副總張載良指出，寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一，漢磊看好未來寬能隙半導體市場，積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發，更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來，將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展，鞏固如在矽半導體產業的優勢。(新聞來源 : 工商時報一涂志豪／台北報導)
旗下聯穎產能爆滿、擬增資擴產，聯電切入第三代半導體有成
作者 林 妤柔 | 發布日期 2021 年 11 月 15 日 10:46 | 分類 封裝測試 , 晶圓 , 零組件
聯穎成立於 2010 年，為聯電新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET 以及濾波器等，終端產品可應用於手機無線通訊、無線區域網路、微波無線大型基地站、全球定位系統、無線微型基地台、有線電視、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，以及 3D 感測元件等領域。
多年前聯電將旗下 6 吋廠轉給聯穎光電，之後聯穎光電 6 吋廠呈現虧損、產能利用率不佳，業界傳出，但自去年下半年開始，月產能 4 萬多片持續爆滿，帶動營運轉虧為盈。而聯電持有聯穎光電超過 80%股份。
此外，市場也傳出聯穎打算辦理現金增資、擴充產能，明年產能有望翻倍成長。
聯電近年瞄準第三代半導體市場，積極投入開發氮化鎵功率元件與射頻元件製程開發，鎖定市場商機為高效能電源功率元件及 5G 射頻元件，並宣布與頎邦交換持股布局封測，分居產業供應鏈之上下游，至於子公司聯穎將是未來主要生產基地，進行產業鏈前後段整合。
聯電子公司聯穎光電近年積極投入第三代半導體領域，加上受惠於 5G 發展、物聯網及車用電子需求持續增加，6 吋廠產能產能爆滿，第三季獲利有望比前幾季亮眼，帶動營運穩定發展。
花王、聯亞事件翻版 聯穎遭誤認第三代半導體股股價直奔漲停
鉅亨網記者林薏茹 台北2021/11/15 13:12
聯穎光電為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。
受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年以來產能維持滿載，第三季營運更順利轉盈；市場也傳聯穎擬現增擴產，明年產能可望翻倍跳增。
而掛牌的聯穎科技則是傳輸線廠，2010 年上市，主要經營絕緣材料及導電體，信號、數據傳輸，IT 設備及連接器、布線系統、網絡工程，通訊線纜及設備產品研發與製造。近期屢屢傳出因公司名稱相近，導致投資人錯買股票的案例，去年印刷股花王 (8906-TW) 就疑似被誤認為醫藥衛生日常用品花王，石英元件廠安碁 (6174-TW) 也曾被誤認為資安服務廠安碁資訊 (6690-TW)，光通訊廠聯亞 (3081-TW) 則遭誤認為聯亞生技。
聯電 (2303-TW) 旗下聯穎光電第三代半導體布局有成，第三季獲利較第二季大增 5 倍，後市可期，但公司目前尚未掛牌，投資人疑將傳輸線廠聯穎科技 (3550-TW) 誤認為聯穎光電，聯穎今 (15) 日股價跳空開高，直奔漲停；為繼花王 (8906-TW)、聯亞(3081-TW) 後，再一家因名稱相近導致投資人誤認的股票。
〈聯電頎邦結盟〉雙方攜手打群架 深化第三代半導體佈局
鉅亨網記者林薏茹 台北2021/09/03 20:15
晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 及封測廠頎邦 (6147-TW) 今 (3) 日宣布雙方將透過換股，深化上下游合作，交易完成後，聯電將持股頎邦約 9%，除未來將有業外收益入帳，也將與頎邦在第三代半導體領域上合作，聯電強調，「第三代半導體上一定不會缺席」。
聯電與頎邦多年來在驅動 IC 領域就密切合作，雙方客戶重疊性高。聯電財務長劉啟東表示，未來將在驅動 IC 領域，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，讓客戶能有更完整的配套技術，也使聯電中後段生態系能更完整。
除在驅動 IC 領域合作外，聯電近年也積極投入開發化合物半導體氮化鎵 (GaN) 功率元件與射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及 5G 射頻元件；頎邦則在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，封測技術也已量產於砷化鉀 (GaAs)、碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等化合物晶圓。
雙方換股合作後，聯電將成為頎邦最大單一股東，也將透過與頎邦的上下游整合，擴大在第三代半導體領域的布局。
聯電近年來積極投入氮化鎵製程開發，攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，共同跨入氮化鎵、碳化矽等第三代半導體領域，佈局高效能電源功率元件市場，目前相關製程技術仍處於研發階段。
聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，今年上半年虧損約 6270 萬元。
搶攻化合物半導體市場 四大陣營整軍備戰
04:102021-10-18 工商時報 涂志豪
隨著歐盟及美國在政策上加速電動車轉型，加上能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長，氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等寬能隙材料的第三代化合物半導體市場進入成長爆發期，包括台積電、聯電、中美晶、漢民等四大陣營早已布局多年且蓄勢待發，全力搶攻GaN及SiC龐大晶圓代工商機。
台積電早在2015年就已著手布建矽基氮化鎵（GaN on Si）技術及產能，近年已進入量產階段，除了與意法半導體合作生產車用GaN功率元件與IC，包括Navitas及GaN Systems亦在台積電投片生產100V及650V高壓功率元件。台積電今年已投入第二代GaN增強型高電子移動率電晶體（E-HEMT）量產，100V空乏型高電子移動率電晶體（D-HEMT）進入試產，並打進5G基地台模式供應鏈。
台積電目前有將近20台MOCVD有機氣相層機投入GaN量產，明年預計再增加10台設備擴產。而台積電轉投資世界先進近幾年在8吋GaN on Si研發順利進行，今年底將開始試產送樣，進行產品設計客戶超過10家，明年可望進入量產階段，業界傳出已爭取到國際IDM大廠訂單。
聯電將旗下6吋廠作價給轉投資的聯穎光電，投入功率元件及砷化鎵（GaAs）晶圓代工，而聯電目前著手進行GaN on Si技術開發，未來聯穎會是主要生產基地，且未來會考慮提供8吋晶圓代工。相較於其它陣營，聯電重視生產鏈前後段整合，日前與頎邦換股結盟，將生產線延伸到GaN晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）等代工市場。
中美晶集團在GaN及SiC領域著重上下游垂直整合，環球晶6吋SiC磊晶基板年底月產能可達5,000片，6吋GaN on Si磊晶基板已開出每月2,000片產能，難度最高的4吋GaN on SiC磊晶基板已小量出貨，6吋產能將在明年開出。中美晶轉投資宏捷科扮演晶圓代工要角，已投入GaN on Si及GaN on SiC技術開發及產能布建。至於朋程則投入SiC MOSFET功率元件設計，明年下半年可望延伸產品線到電動車應用。
漢民集團旗下漢磊及嘉晶在GaN及SiC布局多年有成，頻藉與國際IDM廠多年合作關係，近年來已陸續完成產能布建並進入量產。漢磊與特定客戶合作開發0.5微米的30V～350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN E-HEMT製程已進入量產，4吋SiC蕭特基二極體及SiC MOSFET進入量產，6吋SiC晶圓代工將在明年開始量產。嘉晶則是國內唯一擁有量產GaN與SiC磊晶基板的供應商。
(時報資訊)
鎖定5G、低軌衛星！全訊商用毫米波蓄勢待發，下一步要打入Starlink供應鏈？
2021.09.23 半導體與電子產業 盧佳柔
5G、低軌衛星可說是近期通訊領域的熱門話題，就連長年深耕於軍用領域的全訊也預計進入商用化市場，推出28GHz、39GHz功率放大器瞄準此市場商機。
全訊於22日舉辦上市前業績發表記者會，宣布將以既有的國防規格技術優勢，採用砷化鎵（GaAs）及氮化鎵（GaN）製程，跨足高階商用市場。現已投入研發並生產5G小型基地台及低軌道衛星用的功率放大器（PA），並開始針對國內及國外一線客戶進行送樣測試。
全訊非常看好PA在毫米波小基地台的發展前景，董事長暨總經理張全生表示，受限於毫米波高頻的物理限制條件，傳輸訊號容易有衰減的問題，故每隔150公尺就需要一個小基地台，而一個小基地台預估需要8~16顆PA元件，因此5G基地台對於PA產量需求將非常大。
為滿足此需求，全訊基於既有Ka-Band頻段（介於30~38GHz頻段）的PA晶片為基礎，研發28GHz、39GHz頻段的PA晶片，並將其封裝後提供1~3W的輸出功率，因應5G毫米波小基地台的應用。張全生談到，PA設計有兩個非常重要關鍵指標，就是功耗與線性度的規格。小基地台的耗電量很高，根據研究統計，台灣4G基地台的耗電量占全台耗電量的3%，未來5G毫米波將對基地台數量需求更高，預估耗電量將占全台耗電量的9%，因此若能在IC設計階段就降低功耗的問題，將有助於降低耗電量；再者，線性度問題關乎訊號的穩定度，由於PA須處理的訊號頻道很多，因此晶片的線性度要求也比較高。
5G、衛星通訊合作廠商大公開
據悉，目前全訊28GHz已經研發出4、5個產品線，主要合作廠商為台揚，目前全訊支援3W的28GHz產品已通過台揚樣品測試驗證。台揚為5G毫米波小基地台的設備商，也是近年國內幾十年來做衛星相關產品有經驗的公司，此次合作意味著，全訊晶片有望導入台揚5G基地台與下個世代低的軌衛星方案之中。
除了台揚之外，台達電的旗下的網通、天線公司也相繼與全訊合作，並且已導入至部份天線模組方案中，在使用後明顯感受到以化合物半導體的方案，會比用矽基多陣列的設計方式所產生的功耗還少，也就是比較省電。
同時，5G毫米波也與國內幾家做天線模組的公司洽談當中，例如稜研、方新、佳邦、啟基；國外部分則是與日本網通大廠洽談中，目前暫不便透露名字。
另一方面，針對低軌衛星市場，主要合作對象為太空中心和工研院。全訊提到，太空中心現正進行接近1,000W功率放大器的合作，預計將用於低軌衛星的雷達偵測應用；而工研院合作則是多聚焦於通訊用途相關，由全訊協助開發K波段（頻段介於10.9~40GHz之間）的晶片，預計今年底到明年初之間開始進行。
此外，全訊國內合作夥伴為正基（為正文子公司），正基預計開發低軌衛星下世代模組。國外方面，全訊透露，該公司目前正積極與提供Starlink衛星設備廠商洽談當中，主要分享PA與升降頻器方案。
IDM生產優勢，5G產能不受阻
針對近期半導體產能緊缺問題，全訊所供應的5G PA產能是否足以因應未來市場需求，也備受關注。該公司表示，全訊為國內唯一專業化合物半導體整合元件（IDM）公司，擁有一座4吋晶圓廠，目前最大產能達上萬片。
全訊提到，過去20幾年來都是走客製化、少量多樣生產模式，實際應用的需求遠低於產能（現在大多以軍用產能為主），目前仍有很大的空間可擴展客戶需求。同時，該公司也與國內幾家化合物半導體代工廠合作，包含穩懋、宏捷科、聯穎光電。
未來因應5G毫米波需求量，若產能需求大於4吋一萬片以上，即會與代工廠進行委製合作案，因此產能方面不會有疑慮。
MOSFET缺貨、6吋廠接單滿手 聯穎光電、漢磊飆漲
2021/08/31 05:30
〔記者洪友芳／新竹報導〕MOSFET（金氧半場效電晶體）、二極體等分離式元件供不應求，帶動晶圓代工6吋廠接單滿手，除了茂矽（2342）、漢磊（3707）、元隆（6287）等產能全數滿載外，聯電轉手給旗下轉投資的聯穎光電6吋廠產能也爆滿，今年可望延續去年繳出獲利成績單，而漢磊與聯穎光電更挾亦發展熱門化合物半導體，上櫃及未上市股價更是水漲船高。
下半年可望逐季漲價
半導體業界指出，疫情帶動遠距需求激增，加上5G發展，使得市場對高速運算、人工智慧、物聯網與車用電子需求持續增加，晶圓廠產能供不應求，從8吋廠滿載外溢到6吋廠；國際整合元件（IDM）廠又優先支援車用晶片，加上近期馬來西亞疫情轉趨嚴峻，IDM廠無法正常生產營運，使得MOSFET、二極體等分離式元件產能缺口拉大，各家6吋廠紛紛被客戶追產能。
茂矽向董事會提擴產計畫
茂矽、漢磊、元隆等產能全數滿載，茂矽上半年轉虧為盈，漢磊、元隆則第2季轉為獲利；市場預期，以目前市況供不應求來看，下半年可望延續上半年逐季調漲價格的走勢，這將有利於各家6吋廠持續獲利。
茂矽指出，公司評估產能不足，已向董事會提出擴產計畫，但現今設備難覓是一大問題。
業界也指出，聯電多年前將旗下6吋廠作價4億多元轉給轉投資的聯穎光電，原本6吋廠呈現虧損、產能利用率也不佳，但從去年下半年以來，月產能4萬多片持續爆滿，帶動營運轉虧為盈；聯電持股聯穎光電89%，去年財報認列投資獲利5600多萬元。
漢磊股價水漲船高
聯穎光電6吋廠生產CMOS製程的二極體、MOSFET外，也生產砷化鎵、濾波器等，身負聯電布局化合物半導體的研發廠區，挾發展熱門化合物半導體的利多題材，聯穎光電近期在未上市股價已超過70元，與漢磊同為6吋廠股價飆漲股。
強勁電動車需求為功率電子及化合物半導體開創產業新動能
電動車朝低耗能、高效率及小型化趨勢發展，不僅使碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為當紅炸子雞，矽光子(Silicon Photonics)技術更備受矚目。
迎接5G及自駕車時代，為協助洞悉功率元件及三五族半導體材料的市場先機，SEMI於12月4日召開功率暨化合物半導體委員會議，聚集來自台達電子、穩懋半導體、漢磊科技、聯穎光電、中科院及功率元件設計、封裝委員代表參與，此次會議特別邀請來自台達電能源基礎建設解決方案技術經理Peter Barbosa、Yole Développement執行長暨總經理Jean-Christophe Eloy、科技部矽光子計畫主持人，同時也是台灣科技大學特聘教授李三良博士進行主題演講。
回顧今年，在委員會的帶領下分別舉行三場會議持續針對功率元件測試、封裝以及光電半導體技術與應用做討論，並於SEMICON China期間舉辦功率化合物半導體兩岸交流活動、SEMICON Taiwan國際半導體展技術論壇及午宴聯誼活動，聚集超過230位、來自13國家的功率暨化合物半導體領域的專家；並成功邀請到北京中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟來台參展，與台灣業者進行交流。
隨特斯拉(Tesla)與知名車商Jaguar、奧迪、保時捷等陸續推出電動車款，電動車市場規模日益壯大。電池是電動車主要的成本之一，近年電池能量密度提高，電池價格已經快速下降，有助於提振電動車需求。台達電技術經理Peter Barbosa看好電池市場潛力，估計2015年到2020年電動車複合成長率（CAGR）達36％；2020年到2025年複合成長率將飆升至45％，主要成長力道來自於歐盟、中國和美國市場。
材料方面，第三代半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)具備耐高溫、耐高壓、電阻小、電流大與低功耗等特性，將逐步取代矽。從技術上來說，SiC適用於高功率DC/AC變頻器，而GaN則更適合用於低功率DC/DC和AC/DC轉換器。Yole執行長暨總經理Jean-Christophe Eloy指出，SiC功率裝置市場規模2017到2023年複合成長率將達31％，產值在2023年將可望衝破15億美元。
另一項值得關注的是矽光子(Silicon Photonics)。矽光子藉由將「電訊號」改為「光訊號」來傳遞的晶片，以提高傳輸距離、增加資料頻寬與降低單位能耗。由於矽光子技術涵蓋領域廣泛分散，現階段在整個產業還沒有形成穩定的競爭格局，應用產品並不多。儘管如此，台灣矽光子產業鏈發展晶圓代工模式已見端倪，像是台積電及聯電皆已投入研發。
科技部矽光子計畫主持人李三良教授指出，台灣半導體產業龐大、專業分工，半導體製造生態系統完整，非常適合發展矽光子技術。他建議產學研攜手建立國家級團隊，增加國際競爭力。除了倚賴台灣產業界強大的光電技術與IC製程能力外，配合官方與學研資源打造矽光子共同平台，應可複製先前IC產業成功的經驗。有鑒於此，SEMI也將邀請光電半導體相關業者以打造光電半導體產業生態系統平台，協助連結產業與政府資源創造更多技術合作機會。
展望2019，SEMI將持續經營功率電子及化合物半導體領域。2019年9月18 – 20日 SEMICON Taiwan 國際半導體展期間，將規劃「功率電子暨光電半導體技術論壇」，並首次登場「化合物半導體創新應用館」製造展示區，展示 BMW i3 實體電動車，完整呈現其中相關重要的電子元件與光電技術，並邀請到設計、製造、封裝及系統業者進行技術展示，完整展現台灣在化合物半導體產業的技術能量，並創造更多商業合作的機會，結合技術論壇及商業媒合聯誼活動，加速技術突破與跨界合作。
晶圓代工大廠積極投入GaN制程開發
近來，晶圓代工廠積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 GaN 制程也預計年底送樣，聯電同樣積極投入 GaN 制程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。
聯電表示，GaN 制程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測組件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。
目前包括台積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工制程均已量產；台積電今年 2 月也宣佈結盟意法半導體，意法將採用台積電的 GaN 制程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。
世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多，與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。
聯電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場
晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣，聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。
聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。
目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產；台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將採用台積電的 GaN 製程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。
光電業進軍舊金山 成果豐碩
經濟部國際貿易局為協助光電業者搶攻美國市場商機，委託外貿協會組團前往舊金山，參加於莫斯康展覽中心隆重登場的「美國西部光電展（SPIE PHOTONICS WEST）」，成果亮麗。
外貿協會表示，該展為全球光電領域重要會議暨展覽盛會，由全球光電及雷射應用領域權威機構-國際光學工程學會（SPIE）主辦，今年吸引1,350家參展商，湧入超過23,000位專業人士到場參觀。
台灣參展廠商包括和蓮光電、亞洲光學、揚明光學、聯穎光電、宏明科技、騰錂鐳射及成大微奈米科技研究中心等，展出各類光學材料及光學組件、光學鏡頭、可變波長光源系統、光通訊波分覆用器、透鏡陣列、KW級光纖雷射零組件、智慧晶片及微奈米檢測等產品及技術。
揚明光學首度參與展會，以光學模組及光學零組件之設計、製造、量產的一條龍專業技術為主，此次展出光學零組件與微投影模組，積極搶攻展智慧家居及車用市場，開展後即吸引不少買主駐足詢問，產品相當受買主歡迎。
和蓮光電展示以矽基型液晶空間光調變器LCoS-SLM、微型LED啟動套件、數位調製以及先進的矽背板技術，多次參展已累積眾多的客戶群，展覽期間吸引大量買主不斷前來參觀及詢問，展覽成效相當良好。
亞洲光學為全球第一大光學元件廠，深耕光學領域多年，並有完整的產品及技術垂直整合能力，隨著車載及光通訊市場需求快速成長，現場也吸引許多目標客戶來訪，未來商機備受看好。
「可當總經理、領雙倍薪」聯詠科傳內鬼洩密陸公司
聯詠科技股份有限公司曾姓等4名前員工，涉嫌洩漏公司重大營業秘密給中國大陸地區某競爭公司，檢察官偵查後認為犯罪嫌疑重大，將全案以違反營業秘密法提起公訴。
新竹地檢署發布新聞稿表示，檢察官蘇恒毅指揮法務部調查局嘉義市調查站，查獲聯詠公司前員工曾姓男子等4人，於民國105年間，與大陸地區上海某電子公司負責人協議，以總經理職務與雙倍薪資挖角，要求在離職前竊取聯詠公司機密檔案資料。
檢警調查，曾男在離職前，擅自以多次、少量方式，下載重製聯詠公司內部OLED面板驅動IC及VR等研發工程類機密檔案資料，並挖角羅、何、董姓同事，一起跳槽到曾男以配偶名義在台元科學園區內設立的科技公司，協助重製聯詠公司機密資料，洩漏給大陸公司。
另外，檢警發現，曾男4名跳槽工程師的薪資，是假藉「專業技術事務收入」等名目，安排員工開立外幣帳戶收受境外公司資金。
檢察官蘇恒毅偵查後，認為曾男等4人犯罪嫌疑重大，向新竹地方法院就犯罪所得追徵，聲請扣押現金、房產等財產獲准，並將4人及曾男配偶名下的科技公司，以違反營業秘密法提起公訴。
台積電遭離職工程師於任職期間內，非法重製營業秘密案件，經新竹地檢署偵查終結提起公訴。起訴書指出，台積電公司吳姓工程師於任職期間即106年9月間，非法重製28奈米之重要製程相關文件，擬於106年12月份離職後，攜出至中國無錫華潤上華科技有限公司任職，意圖在中國使用非法重製營業秘密。
全案經檢方偵查終結，檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法意圖在大陸使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌，以及刑法背信罪嫌，將全案提起公訴。
起訴書指出，台積電吳姓工程師於106年9月任職期間，非法重製有關臺積電公司28奈米重要製程相關文件，擬於106年12月份自台積電離職後，攜出至大陸無錫華潤上華科技有限公司任職，意圖在大陸地區使用上開非法重製之營業秘密。
全案業經偵查終結，檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法第13條之2第1項、第13條之1第1項第2款之意圖在大陸地區使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌及刑法第342條第1項之背信罪嫌，對被告提起公訴。
華潤集團在1997年成立華潤上華半導體，正式進軍半導體領域。隨後以購併方式擴大業務，目前擁有6吋及8吋晶圓代工廠，製程可達到0.11微米，服務消費電子的IC客戶。除代工外，華潤微電子也擁有自己的IC設計公司、封裝測試及分離式元件等半導體服務。
週刊報導，美國聯邦當局日前逮捕一名台裔電機工程師石姓男子，涉嫌竊取台灣砷化鎵半導體晶片機密技術，再輸往大陸成都的嘉石科技公司，這起案件與前年穩懋半導體晶片機密科技被竊有關，而石男犯案的地點就在林口星巴克，一杯咖啡的時間就竊走台灣重要的半導體機密技術。
根據《財訊》週刊報導，台裔電機工程師石男，是大陸成都嘉石科技的總裁，而嘉石科技在美國矽谷和台灣桃園都布下了綿密的產業間諜網。石男挖角聯穎光電的研發經理台灣人楊光宇、龍嘉弘後，透過楊光宇接觸到穩懋的內部工程師白勝傑，並在2015年8月7日晚上，與穩懋工程師白勝傑見面。楊光宇佯稱，有金主要在台灣投資一座半導體新廠，想挖角他，並拿出一份建廠合約要白勝傑簽下，楊光宇拿出台幣7萬元給白勝傑當作8月分的薪資。楊光宇再傳送一份技術文件給白，全是嘉石科技在生產半導體時無法解決的關鍵，要他一一填上。
9月2日，楊光宇再約白勝傑在星巴克見面，把當月的7萬元薪資交給白勝傑，再要求他把4種更困難、更機密的薄膜製程參數偷給他。9月26日，楊光宇帶白勝傑到成都面試，當面展示所有的技術細節，陸方原本要發40萬元人民幣簽約金給白勝傑，但就在發放前，檢調發動搜索，白勝傑登機前被捕。
根據《財訊》報導，這件間諜案導致台灣砷化鎵產業投資價值達75億元以上的研發成果，被嘉石科技輕易取得，還可能讓中國取得生產先進軍用雷達關鍵元件的技術能力。陸廠甚至開出開出簽約金台幣200萬元、月薪25萬元及30到35萬元顧問費的優渥條件，欲挖角白勝傑，白勝傑展示的技術，恐已造成台灣半導體產業損失。
聯穎光電內鬼 盜賣機密給對岸
新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電澹姓研發工程師涉嫌出賣內部機密文件給大陸某高科技公司，根據了解，他所賣出的砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品資料，可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備中，27日前往公司搜索並約談到案，依《營業秘密法》移送法辦。
近年大陸將砷化鎵及氮化鎵晶片研發列為經濟重點發展項目，計畫在北京、成都及福州等地建廠量產，不惜重金投資設備並挖角人才，部分當地不肖廠商甚至長時間在台部署商業間諜，有計畫地從外部收買或安排人員在標的企業任職以竊取營業秘密。
檢調去年11月追查穩懋案商業間諜案，後續查出聯穎光電澹姓研發工程師也與楊光宇合作，出賣聯穎光電內部機密文件，意圖竊取同類型營業秘密。
根據了解，聯穎光電生產砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品，可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備，為民間及軍方設備所不可或缺的零組件，相關技術受到管制不得輸出至大陸地區。
澹姓工程師擅自重製並提供內部技術資料及相關產品進度等資訊，給楊光宇在大陸工作時參考，獲取所需機密資料後，即給予數萬元不等報酬，桃市調處與新竹市調查站聯手偵辦，搜索澹姓工程師住家及公司電腦及其辦公桌資料。
聯穎併坤鉅 聯電 布局砷化鎵代工
看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。
今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年，由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻，而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠，4G手機均要能支援全球20頻段，因此需要採用更多的PA晶片。
此外，物聯網應用今年開始出現爆炸性成長，為了讓物物相聯，不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術，均需要搭載PA晶片。也因此，去年下半年PA晶片嚴重供不應求，包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿，並持續擴大委外代工，所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀，而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。
聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。
聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單。
公司簡介
聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月，為聯電集團新投資事業群的一員，目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區，為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。
聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備，利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值，生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路，同時跨足再生能源領域，提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。
聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大的價值。
藉由提供III-V族業界最廣泛產品組合的代工服務，以及最佳化的砷化鎵晶圓代工商業模式，聯穎期許於不久的將來能夠在全球砷化鎵市場躋身領先地位。
公司基本資料
| 統一編號 | 53170263 |
| 公司狀況 | 核准設立 |
| 公司名稱 | 聯穎光電股份有限公司 (出進口廠商英文名稱：WAVETEK MICROELECTRONICS CORPORATION) |
| 章程所訂外文公司名稱 | |
| 資本總額(元) | 2,400,000,000 |
| 實收資本額(元) | 1,843,956,780 |
| 每股金額(元) | 10 |
| 已發行股份總數(股) | 184,395,678 |
| 代表人姓名 | 賴明哲 |
| 公司所在地 | 新竹科學園區新竹縣創新一路10號3樓 |
| 登記機關 | 科技部新竹科學園區管理局 |
| 核准設立日期 | 099年10月18日 |
| 最後核准變更日期 | 110年06月11日 |
| 複數表決權特別股 | 無 |
| 對於特定事項具否決權特別股 | 無 |
| 特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利 無 | |
| 所營事業資料 | CC01080 電子零組件製造業 F401010 國際貿易業 CC01060 有線通信機械器材製造業 CC01070 無線通信機械器材製造業 研究、設計、開發、製造及銷售下列產品： (1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率 電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A mplifier & pHEMT RF Switch Device) (2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer) (3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer) (4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer） (5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer） (6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE MT Epiwafer) (7)積體電路 (8)各種半導體零組件 (9)積體電路測試與包裝 |
董監事持股
| 序號 | 職稱 | 姓名 | 所代表法人 | 持有股份數(股) |
|---|---|---|---|---|
| 0001 | 董事長 | 賴明哲 | 聯華電子股份有限公司 | 148,112,434 |
| 0002 | 董事 | 洪圭鈞 | 聯華電子股份有限公司 | 148,112,434 |
| 0003 | 董事 | 王瑋哲 | 聯華電子股份有限公司 | 148,112,434 |
| 0004 | 監察人 | 彭志強 | 15,001 | |
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